Technologia krystalizacji Solution Crystallizers

Krystalizacja roztworu

Instalacje krystalizacji roztworu

Krystalizacja masowa z roztworów

Pimai NaCl

W obszarze krystalizacji masowej fachowa wiedza firmy GEA obejmuje wszystkie podstawowe rodzaje krystalizatorów do przeprowadzania krystalizacji roztworu, takie jak krystalizator z wymuszonym obiegiem lub rurą ssącą (MSMPR), krystalizator turbulencji (DTB) oraz krystalizator z łożem fluidalnym (OSLO). GEA ma więc wyjątkowe możliwości odpowiadania na szczególne potrzeby każdego klienta, uwzględniając wymaganą jakość i rozmiar kryształu. GEA standardowo dostarcza komponenty wyższego i niższego szczebla, takie jak wstępne zagęszczanie (w różnych konfiguracjach wyparki m.in. wielostopniowe, z mechaniczną kompresją pary, z szybkim odparowaniem), usuwanie solanki (zagęszczanie, filtracja lub wirowanie odśrodkowe), suszenie, przetwarzanie frakcji stałej i pakowanie. GEA dostarcza również orurowanie i narzędzia oraz systemy sterowania procesem do swoich urządzeń, a także instalacje w formie prefabrykowanych i modułowych segmentów na życzenie klienta.

 

Jak to działa

Na każdy określony proces krystalizacji wpływ ma kilka czynników. Najważniejsze z nich wymieniono poniżej.

Szczegóły procesu

Instalacja krystalizator DU ZLD

KRYSTALIZACJA PRZEZ CHŁODZENIE POWIERZCHNIOWE
Proces chłodzenia powierzchniowego powoduje przesycenie bezpośrednio na powierzchni wymiennika ciepła. Przesycenie w wymienniku ciepła jest najwyższe w całym krystalizatorze. Inkrustacja na powierzchni wymiany ciepła i ostatecznie zatykanie się rurek to standardowe konsekwencje procesu. Taka sytuacja może być akceptowalna przy przerywanej pracy, ponieważ przy każdym kolejnym wsadzie osady mogą ponownie się rozpuszczać. W procesach ciągłych jednak chłodzenie powierzchniowe jest stosowane jedynie, gdy z uwagi na wymóg niskiej temperatury operacyjnej w krystalizatorze chłodzenie próżniowe jest niepraktyczne. Jeżeli krystalizator o ciągłym działaniu musi korzystać z chłodzenia powierzchniowego, potrzebna jest szczególnie duża powierzchnia wymiennika ciepła, aby wydłużyć cykl operacyjny.

KRYSTALIZACJA PRZEZ CHŁODZENIE PRÓŻNIOWE
Krystalizacja przez chłodzenie próżniowe to zalecana metoda krystalizacji przez chłodzenie w trybie ciągłym. Ponieważ chłodzenie ma miejsce na skutek adiabatycznej rozszerzalności rozpuszczalnika, a skraplanie odparowanego rozpuszczalnika następuje w oddzielnym wymienniku ciepła, na powierzchni chłodzącej nie osadza się kamień. Chłodzenie próżniowe staje się nieekonomiczne (lub niepraktyczne) tylko w przypadku wymogu bardzo niskich temperatur roboczych.

KRYSTALIZACJA PRZEZ ODPAROWANIE
Krystalizacja przez odparowanie to, ogólnie rzecz biorąc, proces próżniowy, podobny do krystalizacji przez chłodzenie próżniowe. Różnica polega na tym, że proces ten jest niezależny od stężenia i temperatury podawanego roztworu. Do systemu można dodać ciepło z zewnątrz, a stężenie roztworu zasilającego można regulować przez odparowanie. Podobnie jak w przypadku krystalizacji przez chłodzenie próżniowe w krystalizacji przez odparowanie nie występują specjalne problemy z inkrustacją. Problemy operacyjne mogą pojawiać się przy zagęszczeniu substancji o rozpuszczalności odwrotnie proporcjonalnej do temperatury np. niektórych siarczanów i węglanów. W takich przypadkach istnieje taki sam model inkrustacji jak przy krystalizacji przez chłodzenie powierzchniowe. Duże szybkości zawiesiny w rurkach grzewczych i duża gęstość zawiesiny (aby zmniejszyć szybkość przesycenia) mogą pozytywnie wpływać na cykl operacyjny. Wielostopniowe instalacje do krystalizacji przez odparowanie sprawdzają się, gdy kluczowe jest niskie zużycie energii.